| nesep | Дата: Воскресенье, 01.09.2024, 07:39 | Сообщение # 1 |
|
Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 3699
Статус: Offline
| Радиоприемные устройства для телерадиовещения. ДО СИБГУТИ
Тип работы: Пособие к Госэкзамену
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ
Описание:
ОТВЕТЫ К ГОСУДАРСТВЕННОМУ ЭКЗАМЕНУ ПО НАПРАВЛЕНИЮ: «инфокоммуникационные технологии и системы связи» (11.03.02)
профиль: системы радиосвязи, мобильной связи и радиодоступа
№ 1
Определить полосу пропускания на края диапазона входного контура с частотами 150–415кГц, если эквивалентная добротность контура QЭ=15, неравномерность в полосе пропускания =0,8.
№2
Как изменится избирательность одноконтурной входной цепи по соседнему каналу при изменении частоты настройки от 0,5 МГц до 1,5 МГц, если на минимальной частоте эта избирательность 20 дБ. Эквивалентное затухание остаётся постоянным, а ∆fСК =9 кГц.
№3
Определить коэффициенты включения m и n в одноконтурной входной цепи, обеспечивающие согласование настроенной антенны со входом приемника при требуемой полосе пропускания П=37,5 МГц, если f0=150 МГц, RА=100 Ом , СК= 20 пФ, dК=0,05, Ом.
№4
Рассчитать избирательность по зеркальному каналу контура входной цепи, настроенной на частоту МГц и имеющей полосу пропускания МГц на уровне =0,6. Частота гетеродина приёмника равна МГц.
№5
Определить коэффициент перекрытия диапазона входной цепи, если избирательность по соседнему каналу на границах диапазона 2,28 дБ и 8,3 дБ, а эквивалентное затухание при перестройке не изменяется (∆fСК = 9 кГц).
№6
Определить собственное резонансное сопротивление контура одноконтурного усилителя, если коэффициенты включения контура m=1 и n=0,2, крутизна характеристики транзистора S=100 мА/В, конструктивная добротность контура , резонансный коэффициент усиления =5, резонансная частота =50 МГц, полоса пропускания на уровне 0,707 равна П=10 МГц.
№7
Определить эквивалентное затухание контура одноконтурного усилителя, работающего на частоте МГц, если коэффициенты включения контура m=1 и n=0,1, крутизна характеристики транзистора S=100 мА/В, емкость контура =2000 пФ, резонансный коэффициент усиления =32.
№8
Определить полосу пропускания одноконтурного усилителя на уровне 0,707, если крутизна характеристики транзистора S=100 мА/В, резонансный коэффициент усиления =16, коэффициенты включения m=0,5 и n=0,2, емкость контура =1000 пФ.
№9
Определить индуктивность контура одноконтурного усилителя, если крутизна характеристики транзистора S = 100 мА/В, резонансный коэффициент усиления , эквивалентная добротность контура , ёмкость контура пФ, коэффициенты включения m=0,5 и n=0,2.
№10
Определить резонансную частоту одноконтурного усилителя, если крутизна характеристики транзистора S = 100 мА/В, резонансный коэффициент усиления , эквивалентная добротность контура , индуктивность контура мкГн, коэффициенты включения m=1 и n=0,1.
№11
Вычислите минимальное значение g21МИН мгновенной крутизны транзистора ПЧ, если зависимость этой крутизны от напряжения гетеродина определяется равенством g21=a+2bUГ, в котором a = 100мА/В, а крутизна преобразования G21ПР=45 мА/В.
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
